MOSFET à base de matériaux à faible bande interdite pour une électronique haute fréquence ultra basse consommation destinée aux objets communicants autonomes. – MOS35

Notre projet propose une exploration radicalement nouvelle concernant des transistors, de type MOSFET, performants en terme de fréquence et fonctionnant à très faible tension d’alimentation. Nous visons les applications analogiques hautes fréquences à très faible consommation de puissance (systèmes autonomes en énergie dans le domaine de l’intelligence ambiante). Pour lever ce verrou technologique (haute fréquence et faible consommation), il semble nécessaire de se diriger vers des semi-conducteurs autres que le silicium, en particulier les matériaux à petit gap en profitant de leurs propriétés de transport électronique. Nous proposons d’étudier et de réaliser des transistors de type MOSFET ou MOS-HEMT sur deux types de matériaux à petit gap : GaInAs et GaInSb. Bien que ces objectifs nécessiteront des études amonts tant sur le plan technologique que celui de la compréhension physique des mécanismes régis dans ces types de composant, nous souhaitons associer à ce projet un industriel dans une optique de futur transfert technologique.