Déformations locales photo-réversibles de graphène modifié par des molécules organique pontées de manière covalente sur sa surface – STRAINOGRAPHE

L’industrie électronique est considérée comme une industrie plus propre que ses voisines (mines, chimie) mais en réalité, son impact environnemental est bien plus important en regard de la quantité de ressources et d’énergie mises en jeu. Remplacer en partie ou totalement le silicium des composants électroniques, fait partie des défis sociétaux difficiles mais excitant à relever. Une piste intéressante serait de générer de nouveaux matériaux à partir du graphène par exemple, avec des propriétés permettant de s’affranchir du silicium. Dans ce contexte, des études en recherche fondamentale aux applications, la modification du graphène est un domaine hautement compétitif, avec des applications dans tous les domaines de la technologie. En tant que domaine d'étude émergent, les déformations structurelles du graphène induites par des forces mécaniques d'origines diverses sont maintenant explorées pour modifier ses propriétés. On sait peu de choses sur les relations entre les déformations structurelles du graphène à l'échelle atomique et les changements qu’ils vont induire à l’échelle macroscopique. Ce projet s’inscrit complètement dans cette nouvelle thématique, et vise à développer des systèmes chimiques simples permettant d'induire une modification structurelle réversible d'une monocouche de graphène (SLG) fonctionnalisée par une molécule organique photosensible et ceci de manière parfaitement contrôlée. En utilisant cette approche, nous visons à terme à mesurer la résistance électrique entre les modes logiques 0/1 du SLG modifié. Pour atteindre ces objectifs, ce projet se doit d’être interdisciplinaire, basé sur une approche chimique, mais dont la compréhension globale se fera via l’utilisation de méthodes complémentaires de type spectroscopiques (Raman, XPS, UPS, STM), mesure de résistance électrique, et enfin modélisation théorique, pour comprendre les changements dans le comportement électronique de ce dispositif SLG de conception nouvelle.