Modifier l'émission de lumière dans le SiGe hexagonal via la taille, la contrainte, le dopage et la morphologie – TULIP

La récente démonstration d'émission de lumière dans les alliages de SiGe hexagonal à gap direct en fait un concurrent solide des semi-conducteurs classiques de type III-V. Cependant, les propriétés d'émission du SiGe hexagonal rencontrent plusieurs défis, que constituent le cadre du projet TULIP.

L'objectif principal du projet TULIP est l'ingénierie de l'émission de lumière dans SiGe hexagonal avec les objectifs clés suivants :
- Ajuster la plage de longueurs d'onde d'émission, en passant du moyen infrarouge au proche infrarouge et au spectre visible.
- Obtenir un gap direct pour les compositions riches en silicium.
- Passer d'un régime d'émission spontanée à un régime d'émission stimulée.

Pour réaliser ces objectifs, notre stratégie repose sur la modification de l'émetteur lui-même, en ajustant la taille, les contraintes, le dopage et la morphologie.

Le consortium regroupe des experts aux compétences complémentaires, couvrant la modélisation, la fabrication et la caractérisation de ces émetteurs de lumière