Nouveaux précurseurs et procédés plasma pour le dépôt de couche atomique spatiale. Vers des matériaux fonctionnels pour des applications avancées – REACTIVE

Le dépôt de couches atomiques spatiales (SALD) est une variante récente du dépôt de couches atomiques (ALD) qui, tout en conservant les atouts uniques de l'ALD, à savoir le contrôle de l'épaisseur jusqu'au nanomètre, la conformabilité unique du film et la haute qualité du matériau à basse température, est jusqu'à deux ordres de grandeur plus rapide, même à la pression atmosphérique, et donne donc des résultats plus intéressants que l'ALD pour le passage à l'échelle et la production de masse. Bien que la chimie du SALD et de l'ALD soit en principe la même, étant donné que la plupart des approches SALD sont réalisées à la pression atmosphérique, voire à l'air libre, le développement de nouveaux précurseurs plus stables et plus volatils que ceux utilisés habituellement dans l'ALD est nécessaire. De même, l'activation par plasma doit être réalisée à haute pression, en utilisant des plasmas atmosphériques, et donc de nouveaux protocoles doivent être optimisés pour étendre la panoplie de matériaux accessibles par SALD activé par plasma atmosphérique. La proposition REACTIVE propose de développer de nouveaux précurseurs et procédés plasma spécialement conçus pour le SALD à l'air libre. Les nouveaux précurseurs et procédés plasma développés seront utilisés pour déposer de nouveaux oxydes et oxynitrures pour une application dans les dispositifs optoélectroniques. D'une part, les films minces d'oxyde seront utilisés pour fabriquer et démontrer des cellules solaires tout-oxyde basées sur des semi-conducteurs d'oxyde de type p innovants. D'autre part, les films minces d'oxynitrure seront utilisés pour fabriquer des matériaux conducteurs transparents avancés.