Émetteurs de lumière quantique et classique en silicium: Impuretés et défauts complexes pour la nanophotonique – ULYSSES

Le projet ULYSSES vise à explorer une nouvelle approche sur des défauts ponctuels dans le silicium pour la fabrication de
nano-sources optiques. Par analogie avec le phénoménal développement des centres NV dans le diamant, nous souhaitons étudier
les centres G du silicium pour le développement de sources quantiques de lumière, de lasers et de diodes électroluminescentes
(LEDs). Notre méthodologie repose sur une implantation d'atomes de C par une technique sélective spatialement et à grande échelle,
dans des nanostructures à base de Si (membranes de silicium, nanocristaux SiGe, et structures photoniques), et ce afin de fabriquer
(i) des émetteurs classiques tels que des LEDs et des lasers dans des échantillons à haute densité de centres G (pour des
communications inter- ou intra-puces), et (ii), dans la limite inverse de basse densité de centres G, des sources non-classiques de
lumière (pour des protocoles d'information quantique reposant des bits quantiques encodés par des photons).