Modélisation de Dispositifs en Régime Nanométrique – MODERN

Le projet vise au développement d'un ensemble de nouveaux outils de modélisation et de simulation dédiés à l'étude des transistors silicium des futures générations de filières CMOS. Pour l'exploitation de ces outils, nous proposons une méthodologie cohérente allant de la physique des matériaux à la simulation de circuits élémentaires, adaptée aux innovations technologiques pressenties en termes d'architecture de canal et de matériaux. Nous nous attacherons tout particulièrement à une description rigoureuse du transport électronique en incluant les phénomènes physiques caractéristiques des dimensions nanométriques (effets quantiques, effets non stationnaires), de l'utilisation de diélectriques de grille de forte permittivité et des contraintes mécaniques générées par croissance pseudomorphique ou par ingénierie contrôlée par les procédés technologiques. A chaque étape du développement, un important travail de validation sera entrepris grâce à la mise en place dès le début du projet d'une base de données expérimentales qui sera régulièrement enrichie. Ce projet répond donc à une exigence clairement exprimée de moyens de simulations prédictives fiables pour guider à moindre coût le développement des filières innovantes sur substrat de 300 mm.