Niobate alcalin Croissance des couches minces de niobates alcalins et assemblage par le procédé de transfert pour la prochaine génération de dispositifs micro-acoustiques resonants – ANTARES

La 5e et la 6e génération (5G et 6G) d'infrastructures de télécommunications nécessiteront un fonctionnement dans de nouvelles bandes allouées dans les fréquences de 6-24 GHz et une augmentation de la largeur de la bande passante pour intensifier la transmission des données. Le projet ANTARES souhaite surmonter la difficulté de la technologie actuelle des filtres RF en développant la fabrication d'hétérostructures BAW (ondes élastiques de volume) rentable et rapide, avec une possibilité de mise à l'échelle et une compatibilité avec les procédés industriels standard. L'objectif principal est de développer des résonateurs BAW à couplage électromécanique élevé avec une fréquence de résonance allant de 8 GHz à 24 GHz pour des filtres RF avec une largeur de bande > 10 % et satisfaisant aux exigences des bandes moyennes de la 6G en termes de contrôle/reproductibilité de la fréquence, de pertes d'insertion, de dérive de la fréquence en température et de stabilité à des densités de puissance élevées. Pour atteindre cet objectif, nous appliquerons une approche multidisciplinaire comprenant l'ingénierie chimique des matériaux, combinaison des technologies des oxydes et des semi-conducteurs (ingénierie des propriétés des films minces piézoélectriques et co-intégration avec les matériaux 2D), la microfabrication de pointe (y compris les techniques de transfert de couches), et des méthodes avancées de caractérisation de la structure, de la composition et des propriétés physiques des matériaux, ainsi que la conception avancée d'hétérostructures et de dispositifs BAW, en tenant compte de la gestion thermique et des contraintes mécaniques, l'intégration avec les électrodes de la prochaine génération, et la caractérisation complète de leurs performances. Le contrôle de l'épaisseur, la reproductibilité et l'homogénéité des propriétés des couches piézoélectriques et des performances des dispositifs à l'échelle de wafer, conformément aux exigences de l'industrie BAW seront visés.