Vers une ferroelectricité flexible et versatile dans les oxides perovskites – FLEXO

Les oxydes ferroélectriques (FE) sont les briques d’une nouvelle électronique à basse consommation, pour des applications mémoires, ou bio-inspirées tels que les memristors. Leurs propriétés ferro-, piézo- et flexo-électriques sont intimement couplées à l’état de contrainte imposé par le substrat lors de la croissance épitaxiale. Nous visons ici à libérer l’empilement fonctionnel de ce substrat parent via des couches sacrificielles solubles dans l’eau, identifiées par l’équipe porteuse. La voie de germination sur nanofeuillets 2D sera aussi explorée et comparée. Les progrès récents montrent que les membranes transférées sur des substrats silicium ou polymères flexibles, préservent l’état de contrainte initial, ou permettent de le moduler sur substrat flexible. In fine, le projet FLEXO explorera leurs propriétés dans une gamme de contraintes inaccessibles aux procédés d’épitaxie. Cela étendra le potentiel de ces oxydes FEs à des dispositifs compatibles CMOS sur Si, ou à l’électronique flexible.