DS0303 - Produits (conception, procédés et matériaux)

Croissance Epitaxiale de Couches Epaisses de Nitrure d’Aluminium sur forêt de Piliers – EPICEA

Résumé de soumission

L'objectif de cette étude est de réaliser l'épitaxie d'AlN par un procédé à haute vitesse de croissance (HT-HVPE pour High Temperature Vapor Phase Epitaxy) sur des substrats peu chers et présentant des gravures profondes en forme de piliers à haut facteur de forme. Ce haut facteur de forme permet de ménager des espaces vides sous la couche epitaxiée lors de la croissance par limitation diffusionnelle locale de l'apport des réactifs. Les matériaux substrats seront du silicium (111) et de l'alumine (001) ou des piliers de GaN epitaxiés sur alumine. L'intérêt de croitre sur une forêt de piliers aménagés par procédé top-dow ou bottom-up est de réduire globalement la densité de dislocations dans l'AlN formé (mécanisme de croissance latérale) et de réduire les contraintes mécaniques entre le substrat et la couche d'AlN (contraintes liées au désaccord de maille et aux différences de coefficients de dilatation thermique). Il est alors envisageable que la couche d'AlN formée soit très simple à séparer mécaniquement de son substrat par choc thermique.

Coordination du projet

Raphaël BOICHOT (Science et Ingenierie des Matériaux et Procédés)

L'auteur de ce résumé est le coordinateur du projet, qui est responsable du contenu de ce résumé. L'ANR décline par conséquent toute responsabilité quant à son contenu.

Partenaire

SIMAP Science et Ingenierie des Matériaux et Procédés

Aide de l'ANR 198 849 euros
Début et durée du projet scientifique : septembre 2014 - 36 Mois

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