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– SpinMan

Résumé de soumission

Les futurs composants semiconducteurs à fonctionnalité dépendante du spin nécessitent que les temps de relaxation de spin des électrons à température ambiante soient suffisamment longs pour assurer à la fois le transport et la manipulation de spin de manière efficace. Notre projet vise à étudier ces deux aspects dans des nanostructures semiconductrices orientées (111) et (001), orientations pour lesquelles le principal mécanisme de relaxation de spin des électrons à température ambiante peut être supprimé grâce à une ingénierie de l?interaction spin-orbite (dopage modulaire asymétrique ou application d?un champ électrique externe). Ce projet sera réalisé en étroite collaboration entre le Laboratoire de Physique et Chimie des Nano-Objets (LPCNO) de Toulouse et le National Laboratory of Condensed Matter Physics (Institute of Physics, IOP) de Beijing. Notre travail portera sur : (i) la croissance de nanostructures et dispositifs à base de puits quantiques GaAs/AlGaAs orientées (001) ou (111) pour l'optimisation de la mémoire de spin à température ambiante (IOP Beijing) (ii) la mesure de la dynamique de spin des électrons par des expériences complémentaires : Dynamique pompe-Sonde de Rotation (IOP Beijing) et Photoluminescence résolue en temps (LPCNO Toulouse) (iii) la mesure du transport de spin électronique par des expériences de « Transient Spin Grating » (IOP Beijing) et Micro-photoluminescence résolue spatialement (LPCNO Toulouse). L'originalité de notre approche consiste en une étude optique du transport polarisé en spin, ce qui permet de s?affranchir du problème de l?injection électrique d?électrons polarisés.

Coordination du projet

L'auteur de ce résumé est le coordinateur du projet, qui est responsable du contenu de ce résumé. L'ANR décline par conséquent toute responsabilité quant à son contenu.

Partenaire

Aide de l'ANR 0 euros
Début et durée du projet scientifique : - 0 Mois

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