Développement de métrologies 2D et 3D pour la cartographie des dopants dans les nanostructures de semiconducteurs – CartoDop

Comme le souligne l'International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) il est essentiel de mettre au point de nouvelles méthodes de mesures quantitatives 2D et 3D des dopants avec une résolution nanométrique dans une gamme de sensibilité comprise entre 1016 at.cm-3 et 1020 at.cm-3. Différentes approches ont été envisagées pour cela : holographie électronique microscopie électronique à haute résolution sonde atomique 3D microscopie en champ proche SCM ou SSRM SEM basse tension. La plupart de ces techniques connaissent actuellement des développements instrumentaux importants (correcteur d'aberration utilisation d'un laser femtoseconde microscope environnemental ...). Nous souhaitons dans ce projet coordonner les travaux de ces différentes techniques émergentes en abordant en commun certains défis à résoudre : préparations des échantillons (FIB …) quantification résolution spatiale mesure de l'activation des dopants. En travaillant sur des échantillons communs (silicium pleine-plaque avec différents profils de dopage transistors nanofils) nous évaluerons les forces et les faiblesses de ces techniques et définirons de nouveaux protocoles pour la cartographie quantitative 2D et 3D des dopants.