Conception en rupture de cellules de bases pour circuits CMOS Multigrilles sub-32nm – Multigrilles

Le projet MULTIGRILLES vise à renforcer l’indispensable synergie entre les activités de recherche technologique sur les dispositifs nanométriques CMOS sub-32nm et les activités de conception proche du dispositif élémentaire (transistor). L’objectif est de tirer profit des nouvelles structures de transistors en recherchant de nouvelles cellules de base de circuits intégrés qui exploiteront au mieux les caractéristiques électriques de ces nouveaux dispositifs et les ruptures qu’ils apportent. Ce projet se focalisera principalement sur les transistors CMOS sur substrat isolant (SOI), totalement déserté à Double Grilles Planaires Indépendantes (DGPI), envisagés pour les noeuds technologiques sub-32 nm prévus pour production en 2013 dans la feuille de route actuelle ITRS. Les efforts de recherche seront concentrés sur : - le développement de procédés spécifiques permettant l’optimisation du dispositif CMOS DGPI - la modélisation électrique et la caractérisation de ces dispositifs - La conception de cellules élémentaires innovantes visant l’amélioration de la densité d’intégration, la robustesse et la réduction de la consommation, (point mémoire SRAM, fonction numériques et analogiques de base) utilisant, entre autre, l’opportunité des grilles indépendantes. - La validation sur Silicium de ces cellules innovantes en technologie CMOS DGPI