Coopération bilatérale ANR – JST CREST sur la thématique : "Nano-Material Semiconductors"

Dans le cadre de son accord de collaboration avec l’agence japonaise pour la science et la technologie (JST), qui se traduit entre autres par l’ouverture du programme CREST à la participation des équipes françaises dans les projets japonais déposés par les chercheurs de haut niveau du pays, les équipes françaises sont invitées à participer dans des projets de recherche en collaboration avec une ou des équipes japonaises dans le thème de recherche suivant :

[Nano-Material Semiconductors] Fundamental Technology for Semiconductor-Device Structures Using Nanomaterials

Le descriptif complet du thème figure en annexe du document relatif aux modalités de participation des partenaires français.

Cet appel s’inscrit dans le cadre du programme de recherche japonais CREST, créé afin de soutenir des objectifs de recherche prioritaires pour le Japon. Ce programme soutient la recherche collaborative dont les résultats constitueront les fondements de ruptures scientifiques et technologiques.

Les propositions devront être portées conjointement par un coordinateur japonais et un coordinateur français et seront évaluées par l’ANR et la JST, successivement. L’ANR financera les équipes françaises avec une demande d’aide maximale de 500 k€ par projet, montant d’aide qui doit être adapté au nombre de partenaires français et à l’ambition du projet, pour une durée de 5 ans. Les consortiums franco-japonais devront avoir déposé leur dossier scientifique à l’ANR avant le 07 juin 2024 à 10h00 (CEST), ainsi que sur le site JST-CREST avant le 4 juin 2024 à 12h00 (JST).

Erratum du 04.04.2024 : page 2 et 3 de "Modalité de participation des partenaires français et description complète des thèmes de recherche", date limite de soumission côté JST