Imageur proche infrarouge à base de nanocristaux – camIR

camIR vise à la conception et la fabrication d'une nouvelle génération de d'imageur dans le proche dans lequel un film de nanocristaux est utilisé comme couche absorbante. En comparaison des capteurs existant basés sur des semi-conducteurs obtenus par croissance épitaxiale, cette stratégie simplifie l’accordabilité spectrale, simplifie de couplage entre la couche active et le circuit de lecture, ce qui permet une réduction de la taille des pixels. De plus, par rapport aux matériaux actuels, dans la plage spectrale, les nanocristaux colloïdaux réduisent la consommation d'énergie nécessaire à la croissance du matériau. Ce projet offre la possibilité de diminuer le coût du capteur d'un facteur >10. Les principaux objectifs du projet sont (i) une stabilité accrue du matériau, (ii) un meilleur couplage lumière-matière, (iii) un rapport signal/bruit élevé (D*> 1011 Jones pour une longueur d’onde de coupure à 2 µm), un grand format de matrice (mégapixels) similaire à l'état de l'art pour la technologie InGaAs. Au-delà du capteur, le projet vise également un démonstrateur complet de caméra.