Hétérostructures AlN/oxyde pour transistors améliorés par polarisation – ALOFET

La croissance des besoins en énergie électrique, liée aux enjeux du numérique et de la transition écologique, dope le marché de l’électronique de puissance. Les matériaux à large bande interdite permettent de repousser les limites du silicium en fournissant une meilleure efficacité énergétique. Parmi eux, le Ga2O3 présente un engouement international croissant car il répond au double défi de la réduction des pertes énergétiques et de la baisse des coûts de production. Ce projet se positionne dans ce contexte en proposant la réalisation de transistors de puissance à base de Ga2O3 et l’exploitation des propriétés d’un canal à gaz bidimensionnel d’électrons. Réunissant des acteurs de la croissance cristalline, de la caractérisation et de la technologie, le projet propose de réaliser la preuve expérimentalement d’un transistor avec des performances dépassant l’état de l’art des composants de puissance en Ga2O3.