Micro-LEDs rouges à base d'InGaN pour micro-écran – REIDI

Les micro-écrans pour les applications de réalité augmentée et virtuelle (AR/VR) génèrent actuellement beaucoup d’intérêt. Pour obtenir un micro-écran couleur rouge-vert-bleu (RGB) avec un pas pixel inférieur à 10 µm, nécessaire pour les applications AR/VR, l’utilisation de la même famille de matériaux dans une approche monolithique constitue la meilleure démarche. L’alliage InxGa1-xN apparait alors comme le candidat idéal. Cependant, le rendement quantique externe des diodes électroluminescentes (LEDs) III-nitrures chute considérablement pour une longueur d’onde d’émission supérieure à 500 nm, constituant un verrou technologique pour l’émission dans le rouge à base d’InGaN. Cette limitation est expliquée par une dégradation importante de l’alliage InGaN de forte concentration en In (xIn > 25%). Pour augmenter le taux d’incorporation d’In tout en maintenant une bonne qualité cristalline, la solution principale consiste à réduire la contrainte dans la région des puits quantiques en utilisant un pseudo-substrat InGaN relaxé avec le paramètre de maille dans le plan ad-hoc. Cependant, un tel substrat n’existe pas encore. Dans le projet REIDI, trois solutions innovantes visant à élaborer le pseudo-substrat InGaN relaxé adéquat seront adressées. Une structure LED purement InGaN sera adaptée et ré-épitaxiée dans le but de réaliser finalement des micro-LEDs rouges hautement efficaces. Ce projet représente une étape essentielle vers la fabrication d’un micro-écran couleur monolithique.