DELs flexibles à partir de GaN sur graphène – FLAGG

Ce projet exploite l'épitaxie de van der Waals sur graphene pour développer des réseaux organisés de micro-templates de GaN ou d'InGaN de haute qualité cristalline. Ces micro-templates sont utilisés pour la croissance et la fabrication de micro-diodes électroluminescentes (LEDs) transférables sur support flexible. Le substrat initial est constitué de motifs nanométriques de graphène sur un support de silice amorphe. On procède en trois étapes de croissance en s'appuyant sur deux techniques (la MBE et la MOVPE) pour bénéficier de leur spécificités respectives: (i) la croissance sélective des germes sur les motifs de graphène; (ii) la croissance latérale autour de ces germes pour former des domaines de GaN sans défaut de quelques dizaines de µm; (iii) la croissance de la structure active de la LED sur la facette supérieure de ces micro-domaines. La fabrication des LEDs inclut leur séparation du substrat d'origine et leur transfert collectif sur un support flexible. Le démonstrateur final est un ensemble de micro-LEDs adressables individuellement dont le fonctionnement sous flexion du support sera testé.
Cette technologie entièrement basée sur les composés III-N, ouvre la voie à des écrans flexibles de haute brillance, de haute résolution et stables à long terme.