Transition de phase à la demande dans les alliages de tunsgstene selenium tellure – OPTI-TASTE

La mise en place de technique de croissance directe des chalcogénures de métaux de transition, MX2 [M=W/Mo, X=S/Se/Te], ou autres matériaux bi-dimensionnels (2D) sur des substrats conventionnels ou van der Waals est un verrou majeur pour leur utilisation dans les dispositifs. L’étude porte tout d’abord sur l’amélioration et la mise en place d’un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) pour la synthèse de mono-feuillets de WSe2 (structure hexagonal 1H) et WTe2 (structure monoclinique 1T'), qui ont respectivement montré des caractères de semi-conducteur à gap direct et de semi-metal à température ambiante. Le sujet principal de l'étude porte sur le contrôle par un champs électrique externe de la transitions de phase 1H-1T’ dans les alliages WSeTe à la composition critique. Du fait de son caractère réversible et faiblement énergétique, cette transition de phase entre les états isolant (semi-conducteur, 1H) et conducteur (semi-metal, 1T') permet d'envisager des applications pratiques. On propose donc de fabriquer un transistor à effet champs, ainsi basé sur un mono-feuillet 2D de WSeTe, permettant d’étudier la dynamique du système et son implémentation pratique.