CE24 - Micro et nanotechnologies pour le traitement de l’information et la communication

Pendeo-Epitaxie de GaN pour les µ-DISplays – PEGADIS

Résumé de soumission

Les micro-LEDs sont les constituants de base des micro-écrans de très haute résolution. Mais les µ-LEDs de taille micrométrique ont des efficacités d’émission réduites en raison d’effets de bord néfastes dus à la gravure nécessaire à leur fabrication. PEGADIS propose une solution basée sur la croissance directe de vignettes de dimension égale à celle des µ-LEDs envisagées. La méthode repose sur la croissance de ces vignettes par pendeo-épitaxie sur un réseau de nano-piliers déformables, dont le nombre et la période déterminent la dimension de la µ-LED. Cette méthode de croissance localisée présente plusieurs avantages : plus de recours à la gravure, piliers déformables à température de croissance pour éliminer les défauts de coalescence, et fissuration des nano-piliers plutôt que fissuration des couches sous l’effet des contraintes thermiques. Nous démontrerons la validité de l’approche en réalisant un réseau de telles micro-LEDs pour son intégration dans un écran haute résolution.
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Coordination du projet

Matthew CHARLES (Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information)

L'auteur de ce résumé est le coordinateur du projet, qui est responsable du contenu de ce résumé. L'ANR décline par conséquent toute responsabilité quant à son contenu.

Partenaire

LETI Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
LTM LABORATOIRE DES TECHNOLOGIES DE LA MICROELECTRONIQUE
ARMINES CEMEF ARMINES
CRHEA Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications

Aide de l'ANR 832 558 euros
Début et durée du projet scientifique : - 36 Mois

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