Quaternaires AlInGaAs pour la détection et la modulation dans le MIR – LIGNEDEMIR

L’objectif principal du projet LIGNDEMIR est de développer la croissance par MOCVD d’alliages quaternaires InAlGaAs avec un contrôle précis à la monocouche atomique près de la composition et de la raideur des interfaces entre différentes couches. Ces quaternaires ajoutent un degré de liberté dans le design de structures intersousbande basées sur le système InAlAs/InGaAs accordé sur InP. Plus précisément, ces quaternaires remplaceront les barrières InAlAs dans ces structures, nous permettant de designer des transition optiques lié – non-lié centrées sur 5µm. Avec des telles structures, le consortium LIGNEDEMIR propose de développer deux composants manquants à la panoplie des composants MIR sur plateforme InP : des QWIPs rapides et sensibles, ainsi que des modulateurs Schottky ou à effet Starck. Ces composants compléteront les QCLs à base d’InP et poseront les fondations pour la première plateforme de photonique MIR intégrée. Afin d’atteindre ces objectifs ambitieux, le consortium LIGNEDEMIR combinera simulations numériques, croissance et caractérisations de matériaux et fabrication et caractérisation de composants. La spécificité du consortium est l’utilisation de la microscopie électronique à transmission pour mesurer précisément la composition et la contrainte des alliages à l’échelle atomique. Ces données seront utilisées pour optimiser les procédés de croissance et affiner les modèles de simulations numériques. Cette approche est tout à fait unique et les retombées de ce projet dépasseront le cadre spécifique des alliages InAlGaAs/InP et s’appliquent aux alliages d’autres matériaux et fabriqués avec d’autres techniques.