Micro et Nano systèmes électromécaniques basés sur le Nitrure de Gallium – NEMS-GAN
Aujourd’hui, les succès des capteurs MEMS (Microsystèmes électromécaniques) sont basés sur des stratégies top-down de microfabrication, et sur le Silicium comme matériau de départ. Les structures mécaniques miniatures NEMS (Nanosystèmes électromécaniques) offre des pistes prometteuses pour augmenter les performances finales des capteurs. Cependant, de nombreux capteurs dans l’industrie, l’exploration, ou la défense ne peuvent pas utiliser les MEMS/NEMS à cause de la dégradation de leurs performances dans les environnements sévères : hautes températures, hautes vibrations ou accélérations, radiations et /ou milieux corrosifs. Dans ce contexte, NEMSGAN propose d’investiguer l’utilisation de nouveaux matériaux III-N et de démontrer le premier capteur inertiel NEMS intégré. Ce type de dispositif pourrait supporter des environements sévères, en particulier des températures entre 500K et 800K, grâce à la robustess de nitrures épitaxiés et des technologies réfractaires spécifiques développées pour les transducteurs. De plus, les NEMS nitrures tireront partie de nouveaux phénomènes de réponse piézo-tronique pour augmenter la réponse des transducteurs. Ils intégrerons des nanostructures et des parties mobiles de taille micrométrique pour optimiser le rapport signal à bruit , avoir une basse consommation et une bande passante de mesure élevée.
Coordination du projet
Marc Faucher (Institut d'électronique, de microélectronique et de nanotechnologie)
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Partenariat
IEMN Institut d'électronique, de microélectronique et de nanotechnologie
PMC Physique de la Matière condensée (PMC)
CRHEA Centre de recherche sur l'hétéroépitaxie et ses applications
Aide de l'ANR 492 701 euros
Début et durée du projet scientifique :
février 2018
- 48 Mois