Dispositifs Spintronique assistés par champ électrique – ELECSPIN

Les avancées en électronique de spin seront cruciales pour maintenir le progrès dans le domaine des mémoires et du calcul face à l'augmentation considérable de la consommation énergétique des composants CMOS. Jusqu'à aujourd'hui, les composants spintroniques ont été basés sur l'utilisation d'un champ magnétique ou d'un courant polarisé en spin, qui génèrent toujours une dissipation élevée. La possibilité de manipuler les propriétés magnétiques par un champ électrique est la voie la plus prometteuse pour développer des composants spintroniques basse consommation. Le projet ELECSPIN propose de développer une nouvelle génération de composants basés sur la manipulation des propriétés magnétiques par un champ électrique dans des structures hybrides oxyde/métal ferromagnétique. Nous utiliserons deux approches différentes basées sur (1) la modulation de charges et (2) la migration d'ions avec pour objectif principal de proposer les fondements scientifiques de la prochaine génération de composants spintroniques ultra-rapides et ultra basse consommation.
ELECSPIN a pour objectif de proposer des solutions multidisciplinaires dans le domaine des matériaux, de l'ingénierie des interfaces et des nano-composants. L'objectif final sera de combiner des effets spintroniques dans des composants mémoires élémentaires pour améliorer les performances et réduire la consommation. En France, un travail pionnier a été réalisé dans plusieurs laboratoires. Ce projet rassemblera quatre groupes leaders dans ce domaine qui généreront un fort impact en terme de connaissance générée et de nouveaux composants d'ultrabasse consommation. C'est un projet pionnier en charge d'étudier la faisabilité d'une nouvelle idée, qui si elle est fructueuse, mènera à un nouveau paradigme pour l'électronique de spin.