Dispositifs Mémoires Nanométriques Innovants pour Applications Ultra Basse Consommation – AMNESIA

AMNESIA a pour objectifs la conception et le développent de mémoires émergentes dédiées aux applications utra-basse consommation. Ce projet visera à explorer et mettre en oeuvre des dispositifs DRAM novateurs capables de remplir les conditions requises par ces mémoires volatiles en termes de performances et de miniaturisation pour le nœud technologique 22nm et au-delà. AMNESIA sera axé sur des concepts originaux de 1T-DRAMs (DRAMs sans capacité de stockage à un seul transistor) en technologie Silicium-sur-Isolant (SOI). Le programme de travail inclura le développement de méthodes de programmation et l’implémentation matricielle de ces mémoires.

Des solutions innovantes pour des 1T-DRAMs à hautes performances (au regard des DRAMs classiques 1T-1C: transistor + capacité de stockage) seront étudiées et démontrées expérimentalement: réduction des niveaux de tension de programmation et de la consommation, fiabilité accrue, augmentation du temps de rétention, opération à haute température.

AMNESIA explorera également la possibilité d'enrichir les fonctionnalités des 1T-DRAMs par le stockage de plusieurs bits et/ou en fournissant une version dite «unifiée» de la 1T-DRAM, appelée URAM. La URAM comporte un seul transistor et peut être utilisée indifféremment comme mémoire volatile (DRAM) ou non-volatile (EEPROM, flash). La URAM est basée sur les mêmes principes utilisés pour la 1T-DRAM en technologie SOI tandis que la fonction "non-volatile" stocke la charge dans un milieu de piégeage. Ainsi, dans le même matrice mémoire, un seul transistor peut être affecté indifféremment à l'une ou l'autre fonction. Ceci signifie que les blocs EEPROM et DRAM peuvent être fusionnés entraînant une réduction de taille considérable.