Composants Ga2O3 pour l'électronique de puissance – GOSPELS

L’objectif du projet GOSPEL est d’utiliser les formidables potentialités du Ga2O3 pour la conception et la fabrication d’une nouvelle technologie de diode de puissance p-NiO/n-Ga2O3. Pour cela, il sera nécessaire d’appréhender les différentes problématiques liées à l’ingénierie de couches, aux procédés technologiques et au management thermique au sein des composants. Les partenaires du projet GOSPEL, aux compétences parfaitement complémentaires et de renommée internationale, ambitionnent non seulement d’approfondir les connaissances fondamentales du matériau Ga2O3, mais de fournir le premier démonstrateur mondial de diode de
puissance (Al)Ga2O3/(Mg)NiO transférée sur substrat dissipateur. La structuration inhérente du projet offrira aux différents partenaires un flot régulier de matériaux innovants, et conduira, par leur caractérisation et le process technologique attenant, à l’optimisation des couches et la réalisation d’un composant à l’état de l’art mondial.