CE50 - Sciences de base pour l’Energie

MOSFET de grandes tailles en diamant – LSD-MOSFET

Résumé de soumission

L'ambition du projet LSD-MOSFET est de réaliser de nouveaux transistors à effet de champ à grille isolée de grandes tailles en diamant sur des substrats de grandes tailles fonctionnant à haute tension / haute température. Des partenaires du projet ont récemment développé de nouveaux concepts s'appuyant sur les propriétés physiques spécifiques des semi-conducteurs à ultra grand gap (notamment transistor à déplétion profonde et contrôle électro-optique). L'objectif de LSD-MOSFET est de réaliser nouveaux composants intelligents en diamant s'appuyant sur une architecture de type Finger FET couplée à un interrupteur non volatile activé par la lumière afin d'atteindre des performances ambitieuses (1 kV, 1 A à 250 ° C) sur des substrats de grande taille (1/2 pouce). Cette rupture scientifique et technologique permettra de franchir une première étape d’une démarche visant l’introduction des composants à base de diamant dans les systèmes d’électronique de puissance. A long terme, le diamant répondra ainsi aux principales exigences des applications d'électronique de puissance à faible émission de carbone.

Coordination du projet

Julien Pernot (Institut Néel)

L'auteur de ce résumé est le coordinateur du projet, qui est responsable du contenu de ce résumé. L'ANR décline par conséquent toute responsabilité quant à son contenu.

Partenaire

DIAMFAB DIAMFAB
NEEL Institut Néel
LAPLACE LABORATOIRE PLASMA ET CONVERSION D'ENERGIE

Aide de l'ANR 584 079 euros
Début et durée du projet scientifique : décembre 2021 - 48 Mois

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