Faisceau d'ions focalisés par contre-réaction d'électrons corrélés – FIBback

Ce projet de recherche a pour objectif d'atteindre le régime sub-nanométrique pour l'imagerie et la focalisation de faisceaux d'ions. Afin de bien contrôler les caractéristiques de ces faisceaux d’ions (cohérence, aberration, énergie, dispersion, etc.) nous proposons d’exploiter la corrélation entre chaque paire électron/ion, issue de l’ionisation d’un jet d’atomes de césium refroidis par laser, pour contrôler activement l’ion traversant la colonne d’ions focalisés (FIB : Focused Ion Beam) en fonction des informations délivrées par l’électron. Ce développement d'une source contrôlée d’ions à l’échelle sub-nanométrique ouvrira des perspectives pour des expériences d’implantation, de gravure, de déposition et d’imagerie uniques et permettra de développer un instrument d'analyse révolutionnaire dans le domaine des semi-conducteurs.