DS07 - Société de l'information et de la communication

Emetteurs et récepteurs THz à base de nano-diodes Gunn planaires en nitrure de Gallium pour applications haut-débit – GANGUN

Résumé de soumission

Le projet GaNGUN a pour but de réaliser un oscillateur THz à base de diodes auto-commutantes (Self-Switching Diodes, SSD) en nitrure de Gallium. Les composants à SSD sont des dispositifs qui, sous certaines conditions de topologies, peuvent produire sous forte polarisation des oscillations de courant. Ces comportements, modélisés et validés théoriquement pour le nitrure de Gallium, peuvent produire des oscillations jusque dans la gamme THz. Des résultats technologiques et expérimentaux ont déjà été obtenus jusque 325 GHz pour des détecteurs THz à base de SSD, mais pas encore pour l’émission THz. Sur la base du savoir-faire développé, GaNGUN propose de nouvelles structures épitaxiales, de nouvelles topologies et une intégration dans une structure guidante afin de réaliser cet oscillateur en gamme THz. Afin d’arriver à cet objectif, les compétences de simulation, de croissance de matériaux, de process technologique et de caractérisation ont été rassemblées au sein de ce projet international.

Coordination du projet

Marie LESECQ (Institut d'électronique, de microélectronique et de nanotechnologie)

L'auteur de ce résumé est le coordinateur du projet, qui est responsable du contenu de ce résumé. L'ANR décline par conséquent toute responsabilité quant à son contenu.

Partenaire

CINTRA
IEMN Institut d'électronique, de microélectronique et de nanotechnologie

Aide de l'ANR 249 757 euros
Début et durée du projet scientifique : octobre 2017 - 36 Mois

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