Memristive Optospintronics – SpinMarvel

Dans ce projet, nous comptons confirmer puis décupler la portée scientifique de résultats expérimentaux très prometteurs concernant le couplage entre les interactions optique et magnétoélectronique dans des jonctions tunnel magnétiques (JTMs) multifonctionnelles. Ces résultats semblent mettre en jeu la présence d?états dans le gap énergétique de la barrière tunnel ultramince (qq nm). Dans ce projet, nous étudierons l?introduction contrôlée de ces états au sein de couches diélectriques ultraminces (MgO, SrTiO3), et caractériserons précisément leurs propriétés électroniques au moyen d?études optiques et électriques. Nous sonderons alors l?interaction optique et magnétoélectronique de ces états avec la réponse magnétorésistive, et l?effet d?électrorésistance, au sein de junctions tunnel. Pour parvenir à nos fins, nous développerons une plateforme de mesures optospintroniques innovante qui nous permettra de caractériser les multiples degrés de liberté spintronique à l?oeuvre dans nos JTMs multifonctionnelles. Nous espérons galvaniser le domaine de la memristance et consolider les fondations magnétoélectroniques sur une base nouvelle qui prend entièrement compte, et utilise, les défauts et autres états dans le gap énergétique de la barrière tunnel. Ce projet entend adresser un sous-ensemble de premier impact des investigations scientifiques possibles (par exemple la spintronique organique) qui nécessiteront notre plateforme de mesures optospintroniques innovante.